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xaseiresh 2024-08-20 12:50:27 +02:00 committed by David Bailey
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@ -86,12 +86,6 @@ in der Realität mit hoher Wahrscheinlichkeit größer sind als in der Simulatio
keine konkreten Werte für die Widerstände dieser Schaltung fest gelegt. Diese
werden experimentell erprobt, um eine gute Balance der Eigenschaften zu bieten.
\begin{figure}[h]
\centering
\includegraphics[width=0.9\linewidth]{Auslegung/v1.0/tia_stage.png}
\caption{\label{fig:tia_v1_design}Schematischer Schaltkreis des TIVs}
\end{figure}
Die Auslegung der Schaltung ist in Abbildung \ref{fig:tia_v1_design} zu sehen.
U2 ist hierbei der TIVs, wofür der bereits erwähnte LTC6268-10 genutzt
wird. Die Rückkoppelwiderstände sind R15, R16, R17, R18, welche in einer
@ -107,6 +101,11 @@ Parallelkapazitäten der gewünschte Wert von $\SI{1}{\giga\ohm}$
nicht erreicht werden kann. Die Altium-Markierung ``{\em Leakage Clearance}''
passt zudem einige Abstandsregeln des Platinendesign an.
\begin{figure}[htb]
\centering
\includegraphics[width=0.9\linewidth]{Auslegung/v1.0/tia_stage.png}
\caption{\label{fig:tia_v1_design}Schematischer Schaltkreis des TIVs}
\end{figure}
Bei der Auslegung der physikalischen Schaltung werden zusätzliche Einflüsse
in Betracht gezogen, welche nicht direkt auf dem Schaltplan abbildbar sind.
@ -118,7 +117,7 @@ Um einen Ladungsaufbau zu verhindern, muss der Isolations-Lack
der Platine um den Rückkoppelpfad entfernt werden, während Leckströme durch
weitere Abschirmungspfade verringert werden.
\begin{figure}[h]
\begin{figure}[htp]
\centering
\includegraphics[width=0.7\textwidth]{Auslegung/v1.0/tia_pcb.png}
\caption{\label{fig:tia_v1_pcb}Platinendesign der TIV-Schaltung}
@ -145,7 +144,7 @@ Auf der zweiten Lage wird eine Kupferfüllung untergebracht, welche auf dem
gleichen Potential der Abschirmung liegt. Diese Füllung dient zur
Verringerung der Feldstärke im Platinenmaterial selbst.
\begin{figure}[h]
\begin{figure}[htp]
\centering
\includegraphics[width=0.7\textwidth]{Auslegung/v1.0/shielding.png}
\caption{\label{fig:tia_v1_shielding}Aufbau der Schirmelektroden des
@ -157,6 +156,7 @@ Schaltung ohne diese Schirmungselektroden ausgelegt. Hierfür werden die Widerst
sowie die Kupferflächen der Elektroden entfernt. Sie werden nicht durch Erdflächen
ersetzt, um keine zusätzliche Erdkapazität in den hochimpedanten Pfad ein zu koppeln.
\FloatBarrier
\subsection{Unterstützende Schaltungen}
In den folgenden Paragraphen werden weitere unterstützende Schaltungen
@ -192,18 +192,6 @@ welches für die angegebenen Filter-Parameter eine Schaltung berechnet, da die
händische Berechnung der Komponenten vor allem bei Einhaltung der
Komponentenreihen (E24) nicht trivial ist.
\begin{figure}[h]
\centering
\includegraphics[width=0.9\linewidth]{Auslegung/filter_stage.png}
\caption{\label{fig:filter_stage_design}Schaltkreis der berechneten Filter-Stufe nach \cite{ADFilterDesign}}
\end{figure}
\begin{figure}[h]
\centering
\includegraphics[width=0.9\linewidth]{Auslegung/filter_stage_bandwidth.png}
\caption{\label{fig:filter_stage_bandwidth}Bandbreite der berechneten Filter-Stufe nach \cite{ADFilterDesign}}
\end{figure}
Die erstellte Filter-Stufe ist in
Abbildung \ref{fig:filter_stage_design} dargestellt. Die berechnete Transferfunktion
dieses Filters ist in Abbildung \ref{fig:filter_stage_bandwidth} aufgezeichnet.
@ -212,6 +200,23 @@ nach welchem wie erhofft ein steiler Abfall von -80dB/Dekade vor liegt.
Somit werden Rauschanteile sowie andere Störsignale bereits ab $\SI{50}{\kilo\hertz}$ um einen Faktor
von 20dB gedämpft.
\FloatBarrier
\begin{figure}[ht]
\centering
\includegraphics[width=0.9\linewidth]{Auslegung/filter_stage.png}
\caption{\label{fig:filter_stage_design}Schaltkreis der berechneten Filter-Stufe nach \cite{ADFilterDesign}}
\end{figure}
\begin{figure}[ht]
\centering
\includegraphics[width=0.9\linewidth]{Auslegung/filter_stage_bandwidth.png}
\caption{\label{fig:filter_stage_bandwidth}Bandbreite der berechneten Filter-Stufe nach \cite{ADFilterDesign}}
\end{figure}
\FloatBarrier
\newpage
\subsubsection{Ausgangstreiber}
\label{chap:design_output_driver}
@ -280,12 +285,6 @@ In diesem Abschnitt soll auf die konkrete Platzierung der im vorherigen Teil bes
Komponenten eingegangen werden. Eine korrekte Positionierung ist notwendig, um Störsignale
zu minimieren, da gewisse Schaltungsteile eigene Rauschquellen sind.
\begin{figure}[h]
\centering
\includegraphics[width=0.95\linewidth]{Auslegung/v1.0/pcb_3d.png}
\caption{\label{fig:v1_pcb_design}3D-Modell des gesamten TIV-Schaltkreises.}
\end{figure}
Abbildung \ref{fig:v1_pcb_design} zeigt den Aufbau der Platine mit allen Komponenten.
Die einzelnen Elemente des TIV sind von links nach rechts wie folgt angeordnet:
@ -304,6 +303,15 @@ Die einzelnen Elemente des TIV sind von links nach rechts wie folgt angeordnet:
zudem in ein Schirmgehäuse untergebracht.
\end{enumerate}
\FloatBarrier
\begin{figure}[ht]
\centering
\includegraphics[width=0.95\linewidth]{Auslegung/v1.0/pcb_3d.png}
\caption{\label{fig:v1_pcb_design}3D-Modell des gesamten TIV-Schaltkreises.}
\end{figure}
Zusätzlich zu den bereits etablierten Komponenten der Schaltung werden einige
mechanische Verbindungen zur Operation des Schaltkreises untergebracht: