Xaseiresh/master-thesis
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xaseiresh 2024-09-12 00:33:56 +02:00
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TeX/Kapitel/Auslegung.tex
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@ -227,10 +227,10 @@ $C_f$ die parasitäre Parallelkapazität.
Die berechneten Grenzwerte der Widerstände sind in Tabelle \ref{table:para_r_max} dargestellt.
\begin{eqnarray}
f_c & = & 2\pi\cdot \left(R_f \cdot C_f\right)^{-1} \\
f_c & = & \frac{1}{2\pi\cdot R_f \cdot C_f} \\
\SI{30}{\kilo\hertz} & \leq & f_c \\
\SI{30}{\kilo\hertz} & \leq & 2\pi\cdot \left(R_f\cdot C_f\right)^{-1} \\
R_f & \leq & 2\pi\cdot \left(\SI{30}{\kilo\hertz}\cdot C_f\right)^{-1}\label{eqn:max_rf}
\SI{30}{\kilo\hertz} & \leq & \frac{1}{2\pi\cdot R_f \cdot C_f} \\
R_f & \leq & \frac{1}{2\pi\cdot \SI{30}{\kilo\hertz} \cdot C_f} \label{eqn:max_rf}
\end{eqnarray}
\begin{table}[hb]
@ -575,9 +575,9 @@ Gesamtimpedanz bei gleicher Bandbreite erreichbar ist.
\begin{eqnarray}
R_\mathrm{tot} & = & R\cdot n \label{eqn:series_r_rc_rsum}\\
C_\mathrm{tot} & = & \frac{C}{n} \label{eqn:series_r_rc_csum}\\
f_\mathrm{c,tot} & = & 2\pi\cdot \left(R_\mathrm{tot}\cdot C_{tot}\right)^{-1} \\
f_\mathrm{c,tot} & = & 2\pi\cdot \left(Rn \cdot \frac{C}{n}\right)^{-1} \\
f_\mathrm{c,tot} & = & 2\pi\cdot \left(R\cdot C\right)^{-1}\label{eqn:r_series_frequency}
f_\mathrm{c,tot} & = & \frac{1}{2\pi\cdot R_\mathrm{tot}\cdot C_{tot}} \\
f_\mathrm{c,tot} & = & \frac{1}{2\pi\cdot Rn \cdot \frac{C}{n}} \\
f_\mathrm{c,tot} & = & \frac{1}{2\pi\cdot R\cdot C}\label{eqn:r_series_frequency}
\end{eqnarray}

2
TeX/Kapitel/Grundlagen.tex
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@ -184,7 +184,7 @@ bereits ab wenigen zehn Kilohertz maßgeblich durch die eigene parasitäre Kapaz
Hierbei wird der effektive Widerstand bei höheren Frequenzen reduziert, entsprechend der
folgenden Formel \cite[S.S. 21]{Horowitz:1981307}:
\begin{equation}
Z(f) = \left(\frac{1}{R} + \frac{1}{i\cdot 2 \pi fC_p}\right)^{-1}
Z(f) = \left(\frac{1}{R} + j\cdot 2 \pi fC_p\right)^{-1}
\end{equation}
Die Frequenz, ab welcher die Kapazität einen größeren Einfluss als der eigentliche