corrections
This commit is contained in:
parent
6fd9cf67a3
commit
cfa735d1df
9 changed files with 119 additions and 75 deletions
|
|
@ -259,8 +259,7 @@ Spannungsverlaufes schließen, während das
|
|||
D-Feldes Hinweise auf die Positionen der parasitären Kapazitäten gibt.
|
||||
Dies ist möglich, da sich durch Integration des D-Feldes die Ladungsverteilung
|
||||
auf leitenden Flächen berechnen lässt, wie in Gleichung
|
||||
\ref{eqn:integral_d} angegeben ist.
|
||||
\todo{Quote Maxwell?}
|
||||
\ref{eqn:integral_d} angegeben ist \cite{GaussLaw}.
|
||||
|
||||
\begin{equation}
|
||||
\iint \vec{D} \cdot d\vec{A} = \iiint \rho_f dV\label{eqn:integral_d}
|
||||
|
|
@ -284,17 +283,18 @@ welche Elemente der Simulation zur Kapazität beitragen.
|
|||
\hspace{0.15\linewidth}%
|
||||
\begin{subfigure}[t]{.22\linewidth}
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth,trim={0 0 0 0.8cm},clip]{entwicklung/cst_estatic/potential_3t_t}
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth,trim={0 0.8cm 0 1.6cm},clip]{entwicklung/cst_estatic/potential_3t_t}
|
||||
\subcaption{Potential innerhalb des nach oben zeigenden 1206 Widerstandes}
|
||||
\end{subfigure}\hfill%
|
||||
\begin{subfigure}[t]{.22\linewidth}
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth]{entwicklung/cst_estatic/potential_3t_b}
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth,trim={0 0.8cm 0 0.8cm},clip]
|
||||
{entwicklung/cst_estatic/potential_3t_b}
|
||||
\subcaption{Potential innerhalb des herunterzeigenden 1206 Widerstandes}
|
||||
\end{subfigure}\hfill%
|
||||
\begin{subfigure}[t]{.22\linewidth}
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth]{entwicklung/cst_estatic/potential_flip}
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth,trim={0 0.8cm 0 0.8cm},clip]{entwicklung/cst_estatic/potential_flip}
|
||||
\subcaption{Potential innerhalb des Flipchip}
|
||||
\end{subfigure}\hspace{0.15\linewidth}
|
||||
|
||||
|
|
@ -322,17 +322,17 @@ welche Elemente der Simulation zur Kapazität beitragen.
|
|||
\hspace{0.15\linewidth}%
|
||||
\begin{subfigure}[t]{.22\linewidth}
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth]{entwicklung/cst_estatic/d_3t_t}
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth,trim={0 0.8cm 0 0.8cm},clip]{entwicklung/cst_estatic/d_3t_t}
|
||||
\subcaption{Schnittfläche des D-Feldes in der Mitte des nach oben zeigenden 1206 Widerstandes}
|
||||
\end{subfigure}\hfill%
|
||||
\begin{subfigure}[t]{.22\linewidth}
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth,clip,trim={0 0.4cm 0 0.4cm}]{entwicklung/cst_estatic/d_3t_b}
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth,clip,trim={0 1.2cm 0 1.2cm}]{entwicklung/cst_estatic/d_3t_b}
|
||||
\subcaption{Schnittfläche des D-Feldes in der Mitte des herunterzeigenden 1206}
|
||||
\end{subfigure}\hfill%
|
||||
\begin{subfigure}[t]{.22\linewidth}
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth,clip,trim={0cm 0.4cm 0cm 0.4cm}]{entwicklung/cst_estatic/d_flip}
|
||||
\includegraphics[width=1\textwidth,clip,trim={0cm 1.2cm 0cm 1.2cm}]{entwicklung/cst_estatic/d_flip}
|
||||
\subcaption{\label{fig:cst_d_flipchip}Schnittfläche des D-Feldes in der Mitte des Flipchip}
|
||||
\end{subfigure}\hspace{0.15\linewidth}
|
||||
|
||||
|
|
@ -344,7 +344,7 @@ welche Elemente der Simulation zur Kapazität beitragen.
|
|||
somit die Verteilung der Kapazitäten. Deutlich zu erkennen ist die
|
||||
Konzentration der Felder um die Kontaktflächen der Widerstände herum.}
|
||||
\end{figure}
|
||||
\todo{Clip images a bit more}
|
||||
|
||||
|
||||
\FloatBarrier
|
||||
|
||||
|
|
@ -782,30 +782,6 @@ werden Simulationen mit variablem C1 und Cin (siehe Abbildung \ref{fig:opamp_gbw
|
|||
Die Ergebnisse hiervon sind in Abbildungen \ref{fig:opamp_gbwp_variation_result_1} und
|
||||
\ref{fig:opamp_gbwp_variation_result_2} dargestellt.
|
||||
|
||||
\begin{figure}[htb]
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[scale=0.8]{datavis/Parasitics/SingleStage_Cin_Sweep.png}
|
||||
\caption[Ergebnisse der Simulation eines idealen
|
||||
OpAmp mit variierter Eingangskapazität]{
|
||||
\label{fig:opamp_gbwp_variation_result_1}Ergebnisse der Simulation eines idealen
|
||||
OpAmp mit variierter Eingangskapazität $C_\mathrm{in}$. Zu erkennen
|
||||
ist eine Limitierung der Bandbreite sowie steigende
|
||||
Überhöhung der Übertragungsfunktion bei größerer
|
||||
Kapazität.
|
||||
}
|
||||
\end{figure}
|
||||
|
||||
\begin{figure}[htb]
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[scale=0.8]{datavis/Parasitics/SingleStage_Cfp_Sweep.png}
|
||||
\caption[Ergebnisse der Simulation eines idealen
|
||||
OpAmp mit variierter parasitärer Widerstandskapazität]{
|
||||
\label{fig:opamp_gbwp_variation_result_2}Ergebnisse der Simulation eines idealen
|
||||
OpAmp mit variierter parasitärer Widerstandskapazität $C_\mathrm{1}$.
|
||||
Zu erkennen ist die Verringerung der Bandbreite bei steigender
|
||||
Kapazität.}
|
||||
\end{figure}
|
||||
|
||||
Zu erkennen ist, dass die Rückkoppelkapazitäten $C_1$ keinen Einfluss auf die Stabilität haben und lediglich die Bandbreite
|
||||
begrenzen, wie bereits in Kapitel \ref{chap:basics_parasitics} beschrieben wurde.
|
||||
Die Eingangskapazität $C_\mathrm{in}$ jedoch scheint äquivalent zu einer Variation des GBWP zu sein, wobei eine größere Kapazität
|
||||
|
|
@ -821,7 +797,31 @@ Aus den Simulationen wird geschlossen, dass ein Mindest-GBWP von $\SI{1}{\giga\h
|
|||
notwendig ist, um stabil zu bleiben und die Bandbreite zu erhalten, wobei ein größeres GBWP vorteilhaft erscheint.
|
||||
Eine minimale offene Verstärkung von circa 10 000 ist notwendig, um die Bandbreite nicht zu beeinflussen.
|
||||
|
||||
\FloatBarrier
|
||||
\begin{figure}[H]
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[scale=0.8]{datavis/Parasitics/SingleStage_Cin_Sweep.png}
|
||||
\caption[Ergebnisse der Simulation eines idealen
|
||||
OpAmp mit variierter Eingangskapazität]{
|
||||
\label{fig:opamp_gbwp_variation_result_1}Ergebnisse der Simulation eines idealen
|
||||
OpAmp mit variierter Eingangskapazität $C_\mathrm{in}$. Zu erkennen
|
||||
ist eine Limitierung der Bandbreite sowie steigende
|
||||
Überhöhung der Übertragungsfunktion bei größerer
|
||||
Kapazität.
|
||||
}
|
||||
\end{figure}
|
||||
|
||||
\begin{figure}[H]
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[scale=0.8]{datavis/Parasitics/SingleStage_Cfp_Sweep.png}
|
||||
\caption[Ergebnisse der Simulation eines idealen
|
||||
OpAmp mit variierter parasitärer Widerstandskapazität]{
|
||||
\label{fig:opamp_gbwp_variation_result_2}Ergebnisse der Simulation eines idealen
|
||||
OpAmp mit variierter parasitärer Widerstandskapazität $C_\mathrm{1}$.
|
||||
Zu erkennen ist die Verringerung der Bandbreite bei steigender
|
||||
Kapazität.}
|
||||
\end{figure}
|
||||
|
||||
\clearpage
|
||||
|
||||
\subsubsection{Verbesserung der OpAmp Bandbreite}
|
||||
|
||||
|
|
@ -975,12 +975,13 @@ OpAmps für die Simulationen genutzt.
|
|||
|
||||
\begin{figure}[ht]
|
||||
\centering
|
||||
\includegraphics[width=0.8\textwidth]{entwicklung/opamp/opamp_ltspice_noise.jpg}
|
||||
\includegraphics[width=0.7\textwidth,clip,trim={0cm 0cm 15cm 0cm}]
|
||||
{entwicklung/opamp/opamp_ltspice_noise.jpg}
|
||||
\caption[Schaltkreis der LTSpice-Simulation zur
|
||||
Bestimmung OpAmp-Rauschens]{
|
||||
\label{fig:opamp_vin_noise_schematic}Schaltkreis der LTSpice-Simulation zur
|
||||
Bestimmung OpAmp-Rauschens.}
|
||||
\end{figure}\todo{Trim this image?}
|
||||
\end{figure}
|
||||
|
||||
Variiert werden $C_\mathrm{in}$ sowie $R_\mathrm{f}$, um die Auswirkungen dieser Parameter
|
||||
betrachten zu können. Hierbei wird das Rauschen eingangsbezogen gemessen, d.~h. die Ausgangsspannung
|
||||
|
|
@ -990,7 +991,7 @@ und \ref{fig:opamp_vin_noise_cin} dargestellt.
|
|||
|
||||
\FloatBarrier
|
||||
|
||||
\begin{figure}[hbt]
|
||||
\begin{figure}[H]
|
||||
\includegraphics[scale=0.8]{datavis/Parasitics/SingleStage_LTC_Rf_Sweep_Noise.png}
|
||||
\caption[Rauschen in Abhängigkeit von $R_\mathrm{f}$]{
|
||||
\label{fig:opamp_vin_noise_rf}Rauschen in Abhängigkeit von $R_\mathrm{f}$.
|
||||
|
|
@ -1004,7 +1005,7 @@ und \ref{fig:opamp_vin_noise_cin} dargestellt.
|
|||
proportional zur Frequenz wächst.}
|
||||
\end{figure}
|
||||
|
||||
\begin{figure}[ht]
|
||||
\begin{figure}[H]
|
||||
\includegraphics[scale=0.8]{datavis/Parasitics/SingleStage_LTC_Cin_Sweep_Noise.png}
|
||||
\caption{\label{fig:opamp_vin_noise_cin}Rauschen in Abhängigkeit von $C_\mathrm{in}$}
|
||||
\end{figure}
|
||||
|
|
|
|||
Loading…
Add table
Add a link
Reference in a new issue