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David Bailey 2024-08-16 16:51:15 +02:00
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26
TeX/Kapitel/Auslegung.tex
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@ -100,7 +100,7 @@ den eigentlichen elektrischen Widerstand bildet. Das in CST erstellte Modell die
\includegraphics[width=0.9\textwidth]{entwicklung/cst_model_r1206_flipchip.png}
\subcaption{\label{fig:cst_model_1206_flipchip}Modell des 1206-Flipchip-Widerstandes}
\end{subfigure}
\caption[CST-Widerstandsmodelle]{Die in CST Studio Suite 2021 erstellten Widerstandsmodelle.
\caption[Simulationsmodelle der Widerstände in CST]{Die in CST Studio Suite 2021 erstellten Widerstandsmodelle.
Zu sehen ist die Keramik in weiß, die Metallkontakte in Braun, und der Kohlefilm in Dunkellila}
\end{figure}
@ -225,8 +225,10 @@ nützlich.\todo{Rewrite this more understandably}
\subcaption{Potential innerhalb des Flipchip}
\end{subfigure}\hspace{0.1\linewidth}
\caption{\label{fig:cst_r_potentials}Die Potentialfelder der elektrostatischen Simulation
der Widerstände, verschiedene Ansichten}
\caption{\label{fig:cst_r_potentials}Potentialfelder der elektrostatischen Simulation
der Widerstände, verschiedene Ansichten. Deutlich zu erkennen
ist die gleichmäßige Verteilung des Potentialfeldes um die Anschlüsse der
Widerstände herum.}
\end{figure}
@ -258,7 +260,11 @@ nützlich.\todo{Rewrite this more understandably}
\subcaption{\label{fig:cst_d_flipchip}Schnittfläche des D-Feldes in der Mitte des Flipchip}
\end{subfigure}\hspace{0.1\linewidth}
\caption{\label{fig:cst_r_ds} Die D-Feldstärken der elektrostatischen Simulation in verschiedenen Ansichten.}
\caption[D-Felder der Widerstandssimulationen]{\label{fig:cst_r_ds}
D-Feldstärken der elektrostatischen Simulation in verschiedenen Ansichten.
Die D-Felder geben Aufschlüsse über die Ladungsverteilung, und
somit die Verteilung der Kapazitäten. Deutlich zu erkennen ist die
Konzentration der Felder um die Kontaktflächen der Widerstände herum.}
\end{figure}
Deutlich zu erkennen ist der Grund der geringeren Kapazität des Flipchip in Abbildung \ref{fig:cst_d_flipchip}
@ -336,7 +342,10 @@ deren Potentiale.
\includegraphics[clip,trim={0 0 0.4cm 0},width=0.9\linewidth]{entwicklung/cst_estatic_shld/shielding_potential.png}
\caption{\label{fig:r_symmetric_shielding_potential}Potentialfeld der Schirmungselektroden}
\end{subfigure}
\caption{\label{fig:r_symmetric_shielding}Schnittbild durch das Simulatiosmodell mit eingebauten Abschirmungselektroden}
\caption[Schnittbild durch die CST-Simulation der Abschirmungselektroden]{\label{fig:r_symmetric_shielding}Schnittbild
durch das Simulatiosmodell mit eingebauten Abschirmungselektroden.
Deutlich zu erkennen ist die Umverteilung des Potentialfeldes, welches
durch die Abschirmungselektroden verursacht wird.}
\end{figure}
Da es bei diesem Aufbau vier Potentiale gibt, sind auch entsprechend mehr Kapazitäten zu beachten.
@ -405,7 +414,10 @@ Abbildung \ref{fig:shielding_d_field} zeigt die Schnittbilder der D-Felder mit A
\includegraphics[clip,trim={0.5cm 0 0.5cm 0},width=0.9\linewidth]{entwicklung/cst_estatic_shld/d_fc.png}
\caption{Schnittbild des Flipchip}
\end{subfigure}
\caption{\label{fig:shielding_d_field}Schnittbild des D-Feldes durch das Simulatiosmodell mit eingebauten Abschirmungselektroden}
\caption[Schnittbild der D-Feld Simulation der Abschirmungselektroden]{\label{fig:shielding_d_field}Schnittbild
des D-Feldes durch das Simulatiosmodell mit eingebauten Abschirmungselektroden.
Zu erkennen ist die Umverteilung des D-Feldes von den Kontakten des Widerstandes
weg auf die Abschirmungen hin.}
\end{figure}
Die Abschirmungselektroden sind somit in der Lage, die parasitäre Parallelkapazität des Widerstandes deutlich
@ -467,7 +479,7 @@ Kapazitäten zur Erde hin.
\centering
\includegraphics[width=0.8\textwidth]{entwicklung/r_series/series_noshield.png}
\caption{\label{fig:r_series_para_sim}Aufbau der Simulation zur
Analyse des Effektes der parasitären Kapazitäten auf eine Widerstands-Serienschaltung}
Analyse des Effektes der parasitären Kapazitäten auf eine Widerstands-Serienschaltung.}
\end{figure}
\begin{figure}[hbt!]