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@ -366,8 +366,8 @@ somit effektiv das Rauschen des TIV Ausgangs.
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Es wird zudem das RMS-Level des Rauschens sowohl vor als auch nach der
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Filterung gemessen, und ist in Tabelle \ref{table:v10_noise_table} aufgelistet.
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Deutlich zu erkennen ist das niedrigere Rauschniveau der Varianten mit größeren
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Widerständen, sowie die effektivität der Filterung des Ausganges.
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Das niedrigere Rauschniveau der Varianten mit größeren
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Widerständen, sowie die Effektivität der Filterung des Ausganges, sind deutlich zu erkennen.
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\begin{table}[hb]
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\centering
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@ -395,13 +395,19 @@ einem niedrigen Rauschlevel.
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\subsection{Stabilität am IMS}
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\label{chap:v10_instability}
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In diesem Abschnitt soll auf das Verhalten des Schaltkreises bei
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angeschlossenem IMS eingegangen werden. Die Präsenz des restlichen
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Systems kann Einflüsse auf das Rauschniveau der Umgebung haben,
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der Eingang des TIVs wird kapazitiv beeinflusst, etc.
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Bisher wurde der erstellte TIV lediglich unter
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Laborbedingungen getestet. Um korrekt beurteilen zu
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können ob der TIV für den realen Einsatz geeignet ist,
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muss zudem das Verhalten innerhalb eines realen Systems
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betrachtet werden. So können Teile eines IMS
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einen negativen Einfluss auf die Stabilität oder das
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Rauschen des TIVs haben. Diese Einflüsse sollen
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nun genauer betrachtet werden.
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Beim Verbinden des bestehenden TIVs an eine IMS-Röhre mit Faraday-Elektrode
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entsteht eine Störung: Der Ausgang des TIVs wird instabil, wobei eine
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Als erstes wird eine Rauschmessung mit angeschlossener
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Faraday-Elektrode, dem Detektor-Teil einer IMS-Röhre, angestrebt.
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Dies ist jedoch nicht möglich, da beim Anschluss der Elektrode
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eine Störung auftritt: Der Ausgang des TIVs wird instabil, wobei eine
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Rechteckwelle mit variabler Frequenz anstelle eines gefilterten und gleichmäßigen
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Signals ausgegeben wird.
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Abbildung \ref{fig:measurement_v10_ims_instability} zeigt die Ausgangsspannung bei
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@ -444,7 +450,7 @@ nicht geeignet ist.
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In diesem Kapitel werden die aufgenommenen Messwerte diskutiert.
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Es wird geprüft, ob die erstellte Schaltung die Anforderungen aus
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Kapitel \ref{chap:tia_design_goals} erfüllt, und es werden mögliche
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Kapitel \ref{chap:tia_design_goals} erfüllt und es werden mögliche
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Gründe für Abweichungen und unerwartete Werte etabliert.
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Die erstellte Platine erfüllt in fast allen Varianten die
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@ -455,7 +461,7 @@ Sowohl $\SI{47}{\mega\ohm}$ und $\SI{20}{\mega\ohm}$ besitzen
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ausreichend Bandbreite.
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Die in Kapitel \ref{chap:r_para_mitigations} theorisierten Abschirmungen
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ist als notwendig und angemessen ausgelegt identifiziert. Die Platinen
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sind als notwendig und angemessen ausgelegt identifiziert. Die Platinen
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ohne Abschirmungen weisen eine starke Instabilität auf, während Platinen
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mit korrekt eingestellter Abschirmung einen glatten Frequenzgang bis hin
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zu ihrer Grenzfrequenz aufweisen.
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