corrections: finish first mom chapter

TeX/Kapitel/Auslegung.tex

@@ -711,22 +711,22 @@ Die Ergebnisse hiervon sind in Abbildungen \ref{fig:opamp_gbwp_variation_result_
 
 Zu erkennen ist, dass die Rückkoppelkapazitäten $C_1$ keinen Einfluss auf die Stabilität haben, und lediglich die Bandbreite
 begrenzen, wie bereits in Kapitel \ref{chap:basics_parasitics} beschrieben wurde.
-Die Eingangskapazität $C_\mathrm{in}$ jedoch schein äquivalent zu einer variation des GBWP zu sein, wobei eine größere Kapazität
+Die Eingangskapazität $C_\mathrm{in}$ jedoch schein äquivalent zu einer Variation des GBWP zu sein, wobei eine größere Kapazität
 die Bandbreite verringert und die Stabilität negativ beeinflusst.
 Bei der Schaltungsauslegung muss somit genügend Marge bei der GBWP-Auswahl gelassen werden, um bei höher als 
 erwartetem $C_\mathrm{in}$ stabil zu bleiben.
 
 Zusammengefasst ist die OpAmp-Bandbreite ein wichtiger Faktor der Schaltung.
-Ein zu klein gewähltes GBWP begrenzt sowohl die Bandbreite des Schaltkreises, und kann zudem zu 
+Ein zu klein gewähltes GBWP begrenzt sowohl die Bandbreite des Schaltkreises und kann zudem zu 
 Instabilitäten führen. Eine zu klein gewählte offene Verstärkung kann ebenfalls zur Begrenzung 
 der Bandbreite führen, jedoch ohne hierbei die Stabilität zu gefährden.
-Aus den Simulationen wird geschlossen dass ein Mindest-GBWP von $\SI{1}{\giga\hertz}$
+Aus den Simulationen wird geschlossen, dass ein Mindest-GBWP von $\SI{1}{\giga\hertz}$
 notwendig ist, um stabil zu bleiben und die Bandbreite zu erhalten, wobei ein größeres GBWP vorteilhaft erscheint.
 Eine minimale offene Verstärkung von circa 10 000 ist notwendig, um die Bandbreite nicht zu beeinflussen.
 
 \subsubsection{Verbesserung der OpAmp Bandbreite}
 
-Wie im vorherigen Kapitel beschrieben ist eine höhere Bandbreite des OpAmp notwendig, 
+Wie im vorherigen Kapitel beschrieben, ist eine höhere Bandbreite des OpAmp notwendig, 
 um die Schaltung stabil betreiben zu können. Die berechneten Parameter sind jedoch
 nicht mit allen OpAmps erreichbar.
 Um eine größere Auswahl von OpAmps zu ermöglichen wird nun untersucht, ob eine Erhöhung der
@@ -735,17 +735,17 @@ effektiven Bandbreite möglich ist.
 Da die Bandbreite eines einzelnen OpAmp durch seinen internen Aufbau limitiert ist, kann
 an diesem nichts verändert werden. Es ist jedoch möglich, durch die Verschaltung zweier 
 oder mehr OpAmps einen gesamten Schaltkreis mit effektiv höherer Bandbreite zu erhalten.
-Hierfür werden zwei Möglichkeiten hinzu gezogen:
+Hierfür werden zwei Möglichkeiten erprobt:
 
 \begin{itemize}
     \item[a)] \textbf{Eine Reihenschaltung einzelner Verstärker-Stufen:}
         Es werden mehrere einzelne Stufen regulärer Verstärker hintereinander geschaltet.
-        Hierdurch muss jede einzelne Stufe eine geringere Verstärkung erbringen,
+        Hierdurch muss jede einzelne Stufe eine geringere Verstärkung erbringen
         und behält somit eine höhere Bandbreite.
         
         Von Vorteil ist der simple 
         Schaltungsaufbau sowie die gute Stabilität, da jede Stufe in sich 
-        stabil designt werden kann, und alle außer die erste Stufe als reguläre
+        stabil designt werden kann und alle Stufen außer die erste Stufe als reguläre
         Verstärker, nicht als TIV, ausgelegt werden können.
         
         Nachteilhaft sind die akkumulierenden Fehler der OpAmps, welche mit jeder 
@@ -753,14 +753,14 @@ Hierfür werden zwei Möglichkeiten hinzu gezogen:
 
     \item[b)] \textbf{Eine Komposit-Schaltung von OpAmps:}
         Anstelle einzelne Stufen hintereinander zu schalten ist es ebenso möglich,
-        mehrere OpAmps zu einem gesamt-Verstärker mit insgesamt höherer Bandbreite zu verschalten.\todo{
+        mehrere OpAmps zu einem Gesamtverstärker mit insgesamt höherer Bandbreite zu verschalten.\todo{
             Find a citation for this?
         }
 
         Vorteilhaft ist die insgesamt höhere Präzision, da der Feedback-Pfad des gesamten
         Systems über alle OpAmps geschaltet ist.
-        Nachteilhaft ist hierbei die komplexere Schaltung, und dass Stabilität 
+        Nachteilhaft ist hierbei die komplexere Schaltung, und die Notwendigkeit der Stabilität 
-        durch vorsichtiges Balancieren der Stufen eingestellt werden muss.
+        durch vorsichtiges Balancieren der Stufen.
         Ein beispielhafter Schaltkreis ist in Abbildung \ref{fig:opamp_gbwp_increase_schematics}
         dargestellt.
 \end{itemize}
@@ -773,7 +773,7 @@ Hierfür werden zwei Möglichkeiten hinzu gezogen:
         des OpAmp GBWP durch Kaskadierung mehrerer OpAmps.}    
 \end{figure}
 
-Da für den hier betrachteten Anwendungsfall die Präzision von höherer Relevanz ist,
+Da für den hier betrachteten Anwendungsfall die Präzision von höherer Relevanz ist
 und die vergleichsweise niedrigen Signalbandbreiten leichter stabilisierbar sind,
 wird der komposite Schaltungsaufbau gewählt.
 Es wird eine Simulation aufgebaut, mit welcher verschiedene
@@ -785,7 +785,8 @@ untersuchen zu können.
 Die Arbeitsweise dieser Verschaltung ist wie folgt:
 \begin{enumerate}
     \item Der OpAmp U1 verstärkt die am Eingang anliegende Spannungsdifferenz, welche vom 
-        TIV-Eingangsstrom und Masse generiert wird
+        TIV-Eingangsstrom und Masse generiert wird.
+
     \item Die Ausgangsspannung von U1 wird durch OpAmp U2 weiter verstärkt.
         U2 besitzt hierbei eine feste Verstärkung, welche durch den Widerstandsteiler Rx/Rx
         festgelegt wird.
@@ -800,13 +801,13 @@ Die Arbeitsweise dieser Verschaltung ist wie folgt:
 
 Durch korrekte Auswahl von U1, U2 und der Verteilung der Verstärkung zwischen den OpAmps können
 so die Vorteile verschiedener OpAmps kombiniert werden. Es kann z.B. ein sensitiver und präziser
-aber langsamer OpAmp in der ersten Stufe mit kleinerer Verstärkung betrieben werden, und ein
+aber langsamer OpAmp in der ersten Stufe mit kleinerer Verstärkung betrieben werden und ein
 wesentlich schnellerer OpAmp in der zweiten Stufe die Gesamtverstärkung des Systems liefern.
 
 \FloatBarrier
 
 Als exemplarisches Beispiel wird der ADA4817 als erste Stufe gewählt. Dieser OpAmp hat
-ein exzellent niedriges Rauschen und geringe Eingangs-Leckströme, und ist optimiert
+ein exzellent niedriges Rauschen und geringe Eingangs-Leckströme und ist optimiert
 für Messungen an hochimpedanten Eingängen. Er besitzt jedoch eine zu geringe Verstärkung,
 um direkt in einer Stufe eine Verstärkung von $\SI{1}{\giga\ohm}$ zu erreichen.
 Mithilfe 
@@ -855,14 +856,14 @@ welche hier dargestellt werden sollen.
 
 Das eingangsbezogene Stromrauschen des OpAmps hat einen direkten Effekt auf das gemessene
 Signal. Da der Eingang des TIV Ströme misst, wird das Stromrauschen lediglich auf das
-Eingangssignal hinzu addiert und mit Verstärkt. Eine Reduzierung des Effektes des Stromrauschens
+Eingangssignal hinzu addiert und mit verstärkt. Eine Reduzierung des Effektes des Stromrauschens
 ist somit nicht möglich, lediglich die Auswahl eines OpAmps mit wenig Rauschen ist hierfür relevant.
 Mit hochperformanten OpAmps liegen typische Stromrausch-Werte im Bereich von 
 circa $\SI{10}{\femto\ampere\per\sqrt{\hertz}}$, welches mit der geforderten
 Bandbreite von $\SI{30}{\kilo\hertz}$ ungefähr ein eingangsbezogenes Rauschen von $\SI{1.73}{\pico\ampere}$ erzeugt.
 
 Das Spannungsrauschen des OpAmp ist etwas komplexer.
-Am Eingang des TIVs interagiert dieses Rauschen mit der parasitären Eingangskapazität, und wirkt
+Am Eingang des TIVs interagiert dieses Rauschen mit der parasitären Eingangskapazität und wirkt
 somit als zusätzliches Stromrauschen, entsprechend der Formel $I = U \cdot 2\pi f \cdot C$.
 Dieses Rauschen steigt somit sowohl mit größerer Eingangskapazität, als auch mit der Frequenz.
 
@@ -879,7 +880,7 @@ genügend GBWP und kleinen Eingangsleckströmen, um als TIV nutzbar zu sein.
 \end{figure}
 
 Variiert werden $C_\mathrm{in}$ sowie $R_\mathrm{f}$, um die Auswirkungen dieser Parameter
-betrachten zu können. Hierbei wird das Rauschen Eingangsbezogen gemessen, d.h. die Ausgangsspannung
+betrachten zu können. Hierbei wird das Rauschen eingangsbezogen gemessen, d.h. die Ausgangsspannung
 wird durch $R_\mathrm{f}$ dividiert, um den Eingangsstrom zu erhalten. Hierdurch lassen sich die
 Simulationswerte besser vergleichen. Die Ergebnisse sind in Abbildungen \ref{fig:opamp_vin_noise_rf}
 und \ref{fig:opamp_vin_noise_cin} dargestellt.

TeX/Kapitel/Auslegung/Schaltungsdesign.tex

@@ -7,14 +7,14 @@ vorherigen Kapitel ermittelten parasitären Effekten und Kompensationsmöglichke
 konkrete Bauteile für die Konstruktion eines ersten TIV verglichen und ausgewählt. Hiernach 
 wird die Schaltung des TIVs ausgelegt und dessen Funktionsweise erläutert.
 
-\subsection{TIV}
+\subsection{Auslegung des TIV}
 
 \subsubsection{OpAmp Auswahl}
 \label{chap:v10_opamp_choice}
 
 In diesem Abschnitt wird auf die genaue Auswahl eines OpAmp für den hochimpedanten
 TIV-Eingang eingegangen.
-Dieser OpAmp legt viele wichtige Systemparameter fest, und
+Dieser OpAmp legt viele wichtige Systemparameter fest und
 bestimmt maßgeblich das Verhalten und das Rauschniveau des TIVs selbst.
 Zusammengefasst sind folgende Parameter von Bedeutung:
 
@@ -31,7 +31,8 @@ Zusammengefasst sind folgende Parameter von Bedeutung:
 \end{itemize}
 
 
-Folgende OpAmps werden für die nähere Auswahl in Betracht gezogen:
+Tabelle \ref{table:select_opamp_parameters} listed die in Betracht gezogenen OpAmps 
+zusammen mit einigen ihrer Parameter auf.
 
 \begin{table}[h]
     \centering
@@ -64,7 +65,7 @@ Es wird somit für diese Schaltung der LTC6268-10 gewählt.
 \subsubsection{TIV-Schaltung}
 \label{chap:tia_circuit_design}
 
-In diesem Unterkapitel wird nun die konkrete Schaltung des TIVs erstellt.
+In diesem Unterkapitel wird die konkrete Schaltung des TIVs erstellt.
 
 Der Grundlegende Aufbau eines TIV-Schaltkreises wurde bereits in Kapitel
 \ref{chap:basics_tia} beschrieben. Da der LTC6268-10 ein ausreichendes 
@@ -81,10 +82,10 @@ der Serienschaltung sowie der Feldabschirmung aus
 Kapitel \ref{chap:r_para_mitigations} genutzt, um den Einfluss der
 Kapazitäten zu vermindern.
 
-Da die konkreten Werte der parasitären Effekte nicht bekannt sind, und
+Da die konkreten Werte der parasitären Effekte nicht bekannt sind und
 in der Realität mit hoher Wahrscheinlichkeit größer sind als in der Simulation
 (durch z.B. andere Komponenten in der Nähe, welche kapazitiv koppeln), werden
-keine konkreten Werte für die Widerstände dieser Schaltung fest gelegt. Diese
+keine konkreten Werte für die Widerstände dieser Schaltung festgelegt. Diese
 werden experimentell erprobt, um eine gute Balance der Eigenschaften zu bieten.
 
 Die Auslegung der Schaltung ist in Abbildung \ref{fig:tia_v1_design} zu sehen.
@@ -122,7 +123,7 @@ Abbildung \ref{fig:tia_v1_pcb} zeigt das Design der Platine für den Teil
 des TIVs selbst. Der Messeingang ist hierbei der runde Kreis des inneren
 Anschlusses der SMA-Buchse. Dieser ist möglichst eng an den Verstärker U2 
 sowie der Kaskade der Rückkoppelwiderstände angeschlossen.
-Um den gesamten hochimpedanten Bereich wird der Lötstopplack entfernt, 
+Um den gesamten hochimpedanten Bereich wird der Lötstopplack entfernt
 und der Bereich des TIV-Eingangs wird mit einem geerdeten Pfad umgeben,
 um Oberflächenladungen und Leckströme ableiten zu können.
 
@@ -155,7 +156,7 @@ Verringerung der Feldstärke im Platinenmaterial selbst.
 Um den Einfluss der Abschirmung abschätzen zu können, wird eine zweite Version der
 Schaltung ohne diese Schirmungselektroden ausgelegt. Hierfür werden die Widerstände
 sowie die Kupferflächen der Elektroden entfernt. Sie werden nicht durch Erdflächen 
-ersetzt, um keine zusätzliche Erdkapazität in den hochimpedanten Pfad ein zu koppeln.
+ersetzt, um keine zusätzliche Erdkapazität in den hochimpedanten Pfad einzukoppeln.
 
 \FloatBarrier
 
@@ -164,7 +165,7 @@ In den folgenden Paragraphen werden weitere unterstützende Schaltungen
 beschrieben, welche für die korrekte Funktionsweise des TIV nötig sind,
 jedoch selbst nicht kritisch für die Charakteristik des TIVs sind, da
 sie ohne große Anforderungen an Präzision o.ä. erstellt werden können.
-Dieser Schaltungselemente werden somit kurz und der vollständigkeit 
+Dieser Schaltungselemente werden somit kurz und der Vollständigkeit 
 halber beschrieben.
 
 \subsubsection{Filter-Stufe}
@@ -175,8 +176,8 @@ erreichen. Der im Kapitel \ref{chap:tia_circuit_design} erstellte Schaltkreis
 wird auf eine Bandbreite knapp über $\SI{30}{\kilo\hertz}$ abgestimmt,
 wobei der parasitäre RC-Filter einen Abfall von -20dB/Dekate besitzt.
 
-Da bekannt ist dass das zu messende Signal mit einer Bandbreite von $\SI{30}{\kilo\hertz}$
+Da bekannt ist, dass das zu messende Signal mit einer Bandbreite von $\SI{30}{\kilo\hertz}$
-vor liegt, können alle Frequenzen hierüber möglichst stark gedämpft werden.
+vorliegt, können alle Frequenzen hierüber möglichst stark gedämpft werden.
 Dies verringert das Rauschniveau, da die TIV-Schaltung selbst ein recht breites
 Rauschspektrum bis in die obigen $\SI{100}{\kilo\hertz}$ besitzt. Hierfür können
 aktive Filter verwendet werden, welche mithilfe von OpAmps, Widerständen und Kapazitäten
@@ -190,14 +191,15 @@ Er besteht aus zwei in Reihe geschalteten OpAmps in aktiver Filter-Konfiguration
 kann somit mit leicht erhältlichen Dual-Package OpAmps erstellt werden. Für die genaue 
 Auslegung des Filters wurde das ``Filter-Design-Tool'' von Analog Devices (siehe \cite{ADFilterDesign}) genutzt,
 welches für die angegebenen Filter-Parameter eine Schaltung berechnet, da die 
-händische Berechnung der Komponenten vor allem bei Einhaltung der
+händische Berechnung der Komponenten, vor allem bei Einhaltung
-Komponentenreihen (E24) nicht trivial ist. 
+standartisierter
+Komponentenreihen (E24), nicht trivial ist. 
 
 Die erstellte Filter-Stufe ist in
 Abbildung \ref{fig:filter_stage_design} dargestellt. Die berechnete Transferfunktion
 dieses Filters ist in Abbildung \ref{fig:filter_stage_bandwidth} aufgezeichnet.
 Zu sehen ist eine glatte Transferfunktion bis hin zum -3dB-Punkt bei $\SI{30}{\kilo\hertz}$, 
-nach welchem wie erhofft ein steiler Abfall von -80dB/Dekade vor liegt.
+nach welchem wie erhofft ein steiler Abfall von -80dB/Dekade vorliegt.
 Somit werden Rauschanteile sowie andere Störsignale bereits ab $\SI{50}{\kilo\hertz}$ um einen Faktor
 von 20dB gedämpft.
 
@@ -228,7 +230,7 @@ teilweise ein differentielles Signal. Aus diesem Grund wird eine Verstärkerstuf
 für die Umsetzung der Spannungslevel erstellt, welche durch Anpassung der Widerstände
 diverse Verstärkungen und Offsets ermöglicht. Die genauen Widerstände müssen je nach ADC
 gewählt werden, somit werden vorerst Platzhalter genutzt.
-Diese Stufe ist in Abbildung \ref{fig:design_output_driver} dar gestellt.
+Diese Stufe ist in Abbildung \ref{fig:design_output_driver} dargestellt.
 
 \begin{figure}[H]
     \centering
@@ -241,8 +243,8 @@ Diese Stufe ist in Abbildung \ref{fig:design_output_driver} dar gestellt.
 \label{chap:power_supply_design}
 
 Für die korrekte Operation des TIV müssen die für die Verstärker benötigten Spannungen
-bereit gestellt werden. Hierbei ist eine hohe Qualität, d.h. ein stabiles Spannungsniveau auch
+bereitgestellt werden. Hierbei ist eine hohe Qualität, d.h. ein stabiles Spannungsniveau auch
-unter Last sowie ein möglichst geringes Rauschen der Versorgung, notwendig. Zudem ist
+unter Last sowie ein möglichst geringes Rauschen der Versorgung notwendig. Zudem ist
 eine differentielle Spannungsversorgung notwendig.
 
 Um all dies zu erreichen, wird die Spannungsversorgung aus zwei Stufen aufgebaut:
@@ -256,14 +258,14 @@ Um all dies zu erreichen, wird die Spannungsversorgung aus zwei Stufen aufgebaut
         effektiv. Der duale Spannungsausgang des Wandlers vereinfacht zudem die Versorgung
         der Verstärker. Von Nachteil ist ein recht hoher Rauschanteil am Ausgang des Wandlers.
         Der Schaltkreis des DC/DC-Wandlers ist in Abbildung \ref{fig:design_power_dcdc} dargestellt.
-    \item Um das Rauschniveau zu reduzieren, und um den TIV-OpAmp mit der korrekten 
+    \item Um das Rauschniveau zu reduzieren und um den TIV-OpAmp mit der korrekten 
         Spannung versorgen zu können, wird ein Linearregler genutzt. Dieser Typ von Regler
-        bietet einen sehr stabilen und rauscharmen Ausgang, und eignet sich somit gut für die
+        bietet einen sehr stabilen und rauscharmen Ausgang und eignet sich somit gut für die
         Versorgung von sensitiven Bauteilen.
         Ein dedizierter Zweikanal-Linearregler, der {\em LT3032}, wird über einen
-        RC-Filter mit der DC/DC-Spannung versorgt, und liefert die
+        RC-Filter mit der DC/DC-Spannung versorgt und liefert die
         notwendigen Spannungen für den TIV selbst. Dieser Regler ist speziell für
-        niedrige Rauschlevel konzipiert, und ist somit bestens für die Bereitstellung
+        niedrige Rauschlevel konzipiert und ist somit bestens für die Bereitstellung
         einer stabilen Spannung geeignet.
         Der Schaltkreis des Linearreglers ist in Abbildung \ref{fig:design_power_ldo} dargestellt.
 \end{enumerate}
@@ -282,8 +284,9 @@ Um all dies zu erreichen, wird die Spannungsversorgung aus zwei Stufen aufgebaut
 
 \subsection{Auslegung des PCB}
 
-In diesem Abschnitt soll auf die konkrete Platzierung der im vorherigen Teil beschriebenen
+Nach Beschreibung der verwendeten Schaltkreise wird nun auf die 
-Komponenten eingegangen werden. Eine korrekte Positionierung ist notwendig, um Störsignale
+konkrete Platzierung der Komponenten eingegangen.
+Eine korrekte Positionierung ist notwendig, um Störsignale
 zu minimieren, da gewisse Schaltungsteile eigene Rauschquellen sind.
 
 Abbildung \ref{fig:v1_pcb_design} zeigt den Aufbau der Platine mit allen Komponenten.
@@ -296,9 +299,9 @@ Die einzelnen Elemente des TIV sind von links nach rechts wie folgt angeordnet:
     \item Mittig auf der Platine ist der Linearregler sowie die Filter-Stufe und
         der Ausgangstreiber angebracht. Der Linearregler ist hierbei möglichst nah
         an den Spannungseingang des TIV gelegt, um die Distanz hierzu zu
-        vermindern. Die Ausgangs-Stufe ist nicht rauschanfällig, und kann somit beliebig
+        vermindern. Die Ausgangs-Stufe ist nicht rauschanfällig und kann somit beliebig
         platziert werden.
-    \item Auf der rechten Seite der Platine wird der TIV-Teil selbst platziert. Somit
+    \item Auf der rechten Seite der Platine wird der TIV selbst platziert. Somit
         ist garantiert, dass keine unnötigen Stromflüsse durch diesen Verstärkerteil
         fließen können. Das gesamte TIV-System wird zur Minimierung externer Einflüsse 
         zudem in ein Schirmgehäuse untergebracht.
@@ -311,7 +314,7 @@ Die einzelnen Elemente des TIV sind von links nach rechts wie folgt angeordnet:
     \includegraphics[width=0.95\linewidth]{Auslegung/v1.0/pcb_3d.png}
     \caption{\label{fig:v1_pcb_design}3D-Modell des gesamten TIV-Schaltkreises.}
 \end{figure}
-
+\todo[inline]{Add some nice overlays for the parts.}
 
 Zusätzlich zu den bereits etablierten Komponenten der Schaltung werden einige
 mechanische Verbindungen zur Operation des Schaltkreises untergebracht:
@@ -326,7 +329,7 @@ mechanische Verbindungen zur Operation des Schaltkreises untergebracht:
         des Linearreglers, sowie den ungefilterten Ausgang des TIVs selbst.
     \item Zur Verbindung des TIV Eingangs sowie Bereitstellung des Ausgangssignals
         werden SMA-Steckverbindungen benutzt. Diese sind besonders gut geeignet
-        für Signale die einer Schirmung und präzisen Übertragung benötigen,
+        für Signale, die einer Schirmung und präzisen Übertragung benötigen
         und sind somit gut geeignet für das Eingangs- und Ausgangssignal des Verstärkers.
 \end{itemize}
 

TeX/Kapitel/Vermessung.tex

@@ -5,7 +5,7 @@
 
 In diesem Kapitel wird der erstellte Schaltkreis auf seine Funktionstüchtigkeit
 untersucht.
-Es wird beurteilt, ob die Schaltung die festgelegten Zielparameter erreichen kann,
+Es wird beurteilt, ob die Schaltung die festgelegten Zielparameter erreichen kann
 und welche Parameter einer Verbesserung bedürfen.
 
 Hierbei werden verschiedene Variationen des Schaltkreises vermessen, um
@@ -13,7 +13,7 @@ einige Systemparameter bestimmen zu können. Diese sind:
 
 \begin{itemize}
     \item Ein Schaltkreis ohne Abschirmungen und mit $4\cdot\SI{47}{\mega\ohm}$
-        Rückkoppelwiderständen, zur Bestätigung der Notwendigkeit der Abschirmungen
+        Rückkoppelwiderständen, zur Bestätigung der Notwendigkeit der Abschirmungen.
     \item Drei Schaltkreise mit jeweils $4\cdot\SI{47}{\mega\ohm}$,
         $4\cdot\SI{20}{\mega\ohm}$ sowie $4\cdot\SI{120}{\mega\ohm}$ Rückkoppelwiderständen,
         um den Einfluss der verschiedenen Widerstände charakterisieren zu können.