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TeX/Kapitel/Grundlagen.tex

@@ -72,6 +72,7 @@ Folgende Aufgaben werden an den TIV eines IMS gestellt:
     \item Genügend Bandbreite zur korrekten Abbildung der Spitzen der Ionenpackete
 \end{itemize}
 
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 \section{Grundlegende Parasitäreffekte}
 \label{chap:basics_parasitics}
 
@@ -94,7 +95,7 @@ In diesem Kapitel wird auf die parasitären Effekte weiterer Bauteile eingegange
 
 \begin{figure}[h]
     \centering
-    \includegraphics[scale=0.2]{grundlagen/Examples_Capacitances.drawio.png}
+    \includegraphics[scale=0.15]{grundlagen/Examples_Capacitances.drawio.png}
     \caption[Schematische Darstellung der parasitären Kapazitäten eines PCBs]{\label{fig:example_parasitic_c}
         Schematische Darstellung einer Schnittfläche eines PCBs mit Leitungen und einem Bauteil,
         mit einigen parasitären Kapazitäten eingezeichnet.
@@ -119,12 +120,11 @@ Hierbei ist $V_{\mathrm{n,rms}}$ der RMS-Wert des Rauschens, $k_B$ die Boltzmann
 
 \begin{figure}[hb]
     \centering
-    \includegraphics[scale=0.15]{grundlagen/Schematic_Resistor.drawio.png}
+    \includegraphics[scale=0.13]{grundlagen/Schematic_Resistor.drawio.png}
     \caption{\label{fig:example_r_noise}Schematische Darstellung eines realen Widerstandes nach \cite{WikipediaResistors2024May}}
 \end{figure}
 
-\FloatBarrier
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 \section{Grundlagen des Operationsverstärkers}
 \label{chap:basics_opamp}
@@ -195,8 +195,7 @@ Ein realer OpAmp kann für viele Anwendungen als nahezu ideal angesehen werden.
     Hierbei sind die Rauschquellen eingangsbezogen dargestellt.}
 \end{figure}
 
-\FloatBarrier
-\newpage
+\cleardoublepage
 
 \section{Aufbau eines Transimpedanzverstärkers}
 \label{chap:basics_tia}