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David Bailey 2024-09-09 13:17:06 +02:00
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@ -25,23 +25,27 @@ Institut für Grundlagen der Elektrotechnik und Messtechnik
der Leibniz Universität Hannover genutzt wird.
Der Aufbau dieses IMS ist vergleichbar zu dem in
\cite{Reinecke2018Oct} dargestelltem System.
Abbildung \ref{fig:example_ims_peak} zeigt einen Peak der von einem
solchen System gemessen wurde.
\begin{figure}[ht!]
\centering
\includegraphics[scale=0.8]{datavis/example_peak.png}
\caption[Messung eines beispielhaften Ionen-Peaks]{
\label{fig:example_ims_peak}
Messung eines beispielhaften Ionen-Peaks.
Zu erkennen ist die annähernd gaussche Verteilung
mit einer Breite von etwa $\SI{60}{\micro\second}$.}
\end{figure}
Dieses System generiert Ionenpakete mit einer
annähernd gausschen Verteilung,
mit einer Breite von circa $\SI{1.5}{\micro\second}$
für die kleinsten Pakete.
Eine beispielhafte Messung eines IMS-Systemes ist in Abbildung \ref{fig:example_ims_peak} dargestellt.
Zu sehen ist, dass dieses System Ionenpakete mit einer
annähernd gausschen Verteilung und
mit einer Breite von circa $\SI{35}{\micro\second}$
für die kleinsten Pakete erzeugt.
Um diese Pakete abbilden zu können ist eine Bandbreite von mindestens $\SI{30}{\kilo\hertz}$ notwendig.
Die größte Peak-Amplitude, die hierbei abgebildet werden soll,
befindet sich im Bereich von circa $\SI{1}{\nano\ampere}$.
\begin{figure}
\centering
\missingfigure{Include figure for an example IMS peak shape}
\caption{\label{fig:example_ims_peak}Messung eines beispielhaften Ionen-Peaks}
\end{figure}
Der Ausgang des TIV wird einen Analog-Digital-Wandler (im folgenden ADC) antreiben. Diese Bauteile wandeln ein
Spannungssignal in ein digitales Signal um, welches vom Rest des Systems ausgewertet werden kann. Der im Ziel-IMS ausgewählte ADC,
der {\em LTC2274}, hat einen
@ -202,7 +206,7 @@ der Eingangskapazität bei. Zudem scheint es keine großen Unterschiede bei der
\begin{table}[hb]
\centering
\caption{\label{table:para_r_cf}Ergebnisse der Kapazitätsberechnung}
\caption{\label{table:para_r_cf}Ergebnisse der Kapazitätsberechnung aus den CST-Simulationen}
\begin{tabular}{ |l|r|r| }
\hline
Typ & Parallelkapazität $C_\mathrm{p}$ & Streukapazität $C_\mathrm{g}$ \\
@ -340,6 +344,7 @@ welche Elemente der Simulation zur Kapazität beitragen.
somit die Verteilung der Kapazitäten. Deutlich zu erkennen ist die
Konzentration der Felder um die Kontaktflächen der Widerstände herum.}
\end{figure}
\todo{Clip images a bit more}
\FloatBarrier
@ -526,7 +531,7 @@ Grenzwerte sind in Tabelle \ref{table:para_rshield_max} aufgelistet.
\begin{table}[ht]
\centering
\caption{\label{table:para_rshield_max}Obere Grenzwerte der Widerstandsauswahl mit Abschrimung}
\caption{\label{table:para_rshield_max}Obere Grenzwerte der Widerstandsauswahl mit Abschirmelektroden}
\begin{tabular}{ |c|r| }
\hline
Typ & Grenzwert \\