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@ -25,23 +25,27 @@ Institut für Grundlagen der Elektrotechnik und Messtechnik
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der Leibniz Universität Hannover genutzt wird.
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Der Aufbau dieses IMS ist vergleichbar zu dem in
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\cite{Reinecke2018Oct} dargestelltem System.
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Abbildung \ref{fig:example_ims_peak} zeigt einen Peak der von einem
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solchen System gemessen wurde.
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\begin{figure}[ht!]
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\centering
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\includegraphics[scale=0.8]{datavis/example_peak.png}
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\caption[Messung eines beispielhaften Ionen-Peaks]{
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\label{fig:example_ims_peak}
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Messung eines beispielhaften Ionen-Peaks.
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Zu erkennen ist die annähernd gaussche Verteilung
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mit einer Breite von etwa $\SI{60}{\micro\second}$.}
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\end{figure}
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Dieses System generiert Ionenpakete mit einer
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annähernd gausschen Verteilung,
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mit einer Breite von circa $\SI{1.5}{\micro\second}$
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für die kleinsten Pakete.
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Eine beispielhafte Messung eines IMS-Systemes ist in Abbildung \ref{fig:example_ims_peak} dargestellt.
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Zu sehen ist, dass dieses System Ionenpakete mit einer
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annähernd gausschen Verteilung und
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mit einer Breite von circa $\SI{35}{\micro\second}$
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für die kleinsten Pakete erzeugt.
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Um diese Pakete abbilden zu können ist eine Bandbreite von mindestens $\SI{30}{\kilo\hertz}$ notwendig.
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Die größte Peak-Amplitude, die hierbei abgebildet werden soll,
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befindet sich im Bereich von circa $\SI{1}{\nano\ampere}$.
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\begin{figure}
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\centering
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\missingfigure{Include figure for an example IMS peak shape}
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\caption{\label{fig:example_ims_peak}Messung eines beispielhaften Ionen-Peaks}
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\end{figure}
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Der Ausgang des TIV wird einen Analog-Digital-Wandler (im folgenden ADC) antreiben. Diese Bauteile wandeln ein
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Spannungssignal in ein digitales Signal um, welches vom Rest des Systems ausgewertet werden kann. Der im Ziel-IMS ausgewählte ADC,
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der {\em LTC2274}, hat einen
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@ -202,7 +206,7 @@ der Eingangskapazität bei. Zudem scheint es keine großen Unterschiede bei der
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\begin{table}[hb]
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\centering
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\caption{\label{table:para_r_cf}Ergebnisse der Kapazitätsberechnung}
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\caption{\label{table:para_r_cf}Ergebnisse der Kapazitätsberechnung aus den CST-Simulationen}
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\begin{tabular}{ |l|r|r| }
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\hline
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Typ & Parallelkapazität $C_\mathrm{p}$ & Streukapazität $C_\mathrm{g}$ \\
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@ -340,6 +344,7 @@ welche Elemente der Simulation zur Kapazität beitragen.
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somit die Verteilung der Kapazitäten. Deutlich zu erkennen ist die
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Konzentration der Felder um die Kontaktflächen der Widerstände herum.}
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\end{figure}
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\todo{Clip images a bit more}
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\FloatBarrier
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@ -526,7 +531,7 @@ Grenzwerte sind in Tabelle \ref{table:para_rshield_max} aufgelistet.
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\begin{table}[ht]
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\centering
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\caption{\label{table:para_rshield_max}Obere Grenzwerte der Widerstandsauswahl mit Abschrimung}
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\caption{\label{table:para_rshield_max}Obere Grenzwerte der Widerstandsauswahl mit Abschirmelektroden}
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\begin{tabular}{ |c|r| }
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\hline
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Typ & Grenzwert \\
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